NXP, RF 에너지용 GaN 트랜지스터 발표 |
솔리드 스테이트(solid-state)를 이용해 마그네트론에 비해 스마트 제어, 낮은 유지 보수 및 사용 편의성 확보 NXP는 GaN-on-SiC를 통해 효율성 저하없이, 솔리드 스테이트의 모든 이점을 실현
2019년 6월 5일 - NXP반도체는 최초로 갈륨나이트라이드온실리콘(Gallium Nitride on Silicon-Carbide , 이하 GaN-on-SiC)을 사용한 RF 에너지용 RF 파워 트랜지스터를 발표했다. MRF24G300HS는 갈륨(GaN)의 높은 효율을 활용해 2.45GHz에서 대부분의 마그네트론의 효율을 능가한다. 실리콘(SiC)의 높은 열전도는 연속파(CW) 작동을 보장해 준다. 이용 정보(Availability) NXP의 MRF24G300HS RF 트랜지스터는 현재 샘플링 중이며, 2019년 3분기에 생산이 계획되어 있다. 현재 2400-2500MHz의 기준 회로를 사용할 수 있으며 주문 번호는 MRF24G300HS-2450MHZ이다. 프레시언트 와이어리스(Prescient Wirelss Inc.)사는 NXP 파트너 프로그램(NXP Partner Program)을 통해 45dB의 2채널 550W 전력 증폭기를 설계하여 국제 마이크로파 심포지엄 2019(International Microwave Symposium 2019, 이하 IMS 2019)에서 공개할 예정이다. MRF24G300HS와 관련된 데이터 시트에 액세스하고 싶다면, www.nxp.com/MRF24G300HS 에서 확인 가능하다. NXP, IMS 2019에서 마이크로파 허브(Microwave Hub) 공개 부스 번호 #548번의 NXP의 부스를 방문하면 다양한 기능을 단일 장치로 통합할 수 있는 "마이크로파 허브(Microwave Hub)"를 직접 체험할 수 있다. 추가 정보는 NXP 반도체 블로그에서 확인할 수 있다. NXP 반도체 소개 NXP® 반도체(나스닥: NXPI)는 더욱 편리하고 안전하며 더 나은 삶을 위한 첨단 솔루션을 개발하여, 안전하게 연결되는 스마트 월드를 만들고 있다. NXP는 임베디드 애플리케이션용 보안 연결 솔루션의 선도 기업으로서, 시큐어 커넥티드 카, 엔드 투 엔드 보안 및 프라이버시, 스마트 커넥티드 솔루션 분야의 혁신을 주도하고 있다. NXP는 60년 이상의 전문성과 경험을 바탕으로, 전 세계 30개 이상의 국가에서 30,000명의 직원을 고용하고 있다. 2018년 매출은 미화94억 1천만불이다. NXP 관련 뉴스는 www.nxp.com에서 찾아 볼 수 있으며, NXP 반도체 블로그(http://blog.naver.com/nxpkor) 에서도 NXP 관련 정보를 확인할 수 있다. |