보도자료

NXP반도체(NASDAQ: NXPI)는 무선/셀룰러 기지국용 9세대(Gen9) LDMOS RF 파워 트랜지스터를 출시한다고 밝혔다. 이 획기적인 기기는 도허티(Doherty) 애플리케이션에서 효율성을 5% 높여, LDMOS 트랜지스터의 성능을 한 단계 높여준다. 최초의 Gen9 트랜지스터는 대칭/비대칭 도허티 전력 증폭기를 위해 설계되었으며, 기존 고용량 패키지의 전력밀도 벤치마크를 제공한다. Gen9 기술은 모바일 통신 제공업체들이 내년에 전세계적으로 사용하게 될 3.4~3.8GHz의 주파수 대역에서 구동될 때 최적화되어 있다. NXP는 최초의 Gen9 제품을 IMS 2014 (부쓰 1733)에서 선보이고 있다.

4G 모바일 데이터 서비스가 전세계에서 사용되면서, Gen9 제품군은 콤팩트하고 효율적이며 고성능 LTE 기지국에 집중하고 있다. 이전 LDMOS 세대에서 설립된 뛰어난 명성을 바탕으로, Gen9은 따라올 수 없는 효율성과 탁월한 선형화 역량을 가진 RF 전력 증폭기를 업계에서 가장 낮은 가격에 제공한다.

NXP의 LDMOS RF 전력 증폭기는 지금까지 다양한 셀룰러 표준들과 주파수 대역으로 표현되는 과제를 해결하기 위해 다양한 텔레콤 시장을 염두에 두고 개발되어 왔다. Gen9은 모바일 사업자들이 현재 사용하는 주파수 대역보다 높은 대역에 최적화함으로써 이 트렌드를 유지할 것이다. 이로써 설계자들은 이들 주파수 대역이 사용될 2015년 이전에 기기를 설계할 수 있게 되었다.

NXP 반도체의 기지국 전력 증폭기 마케팅 디렉터인 크리스토프 쿠게(Christophe Cugge)는 “NXP의Gen9 LDMOS 트랜지스터 제품군은 성능과 전력, 효율성의 기준을 또 한번 새로 세웠다”며, “RF 전력의 강력한 전통을 바탕으로, Gen9은 진정한 미래를 대비한 제품을 고객에게 제공해 경쟁력을 높일 수 있게 했다. 무선 인프라 제조업체들은 비용 효율적이고 전력 효율적인 기지국을 시장에 빠르게 출시해야 하는 압박에 항상 시달리고 있다. 1800, 2100, 2700MHz와 같이 많이 사용되는 주파수 대역에 대한 요구를 충족시키는 것은 물론, 3.4~3.8GHz에 최적화된 Gen9 제조업체들에게 제공함으로써, 이들 주파수가 보다 널리 사용될 경우를 대비해 미리 설계할 수 있도록 도와 앞서나갈 수 있게 했다”고 밝혔다.

출시시기

150AV Gen9 기기(BLC9G27LS-150AV)는 현재 샘플로 제공되며, 기타 다른 트랜지스터는 주요 OEM사들에게 샘플로 제공될 예정이다.

관련 링크
기지국용 RF 전력 증폭기: http://www.nxp.com/products/rf/amplifiers/power_transistors/base_stations/